Physique des semi-conducteurs : Fondamentaux
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Physique des semi-conducteurs : Fondamentaux
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Bandes d'énergie
Figure 1 : Formation des bandes d'énergie pour les électrons d'atomes de Si arrangés en mailles cristallines de type diamant
Isolant, semi-conducteur, conducteur
Figure 2 : Représentation des bandes d'énergie
Semi-conducteurs intrinsèques
Figure 3 : Représentation schématique des liaisons électroniques pour le semi-conducteur intrinsèque (Si)
Figure 4 : Semi-conducteur intrinsèque. a) Diagramme des bandes d'énergie b) Densités d'états énergétique c) Distributions de Fermi-Dirac d) Densités énergétiques de porteurs (les densités de porteurs n et p correspondent aux surfaces hachurées)
Etude de cas
Jonction abrupte à l'équilibre thermodynamique
Figure EC1 : Variation de la différence de densités de donneurs et d'accepteurs pour une jonction abrupte
Figure EC2 : Représentation schématique des liaisons électroniques pour une jonction PN de semi-conducteurs silicium (Si). Le dopage N est obtenue par de l'arsenic (As) et le dopage P par du Bohr (B).
Figure EC3 : Jonction PN à l'équilibre thermodynamique. a) Charge d'espace, b) Champ électrique, c) Potentiel électrostatique.
Figure EC4 : Diagramme d'énergie d'une jonction PN à l'équilibre thermodynamique.
Jonction abrupte alimentée en courant
Densité de courant
Figure EC5 : Polarisation d'une jonction PN
Figure EC6 : Elément de volume de semi-conducteur
Polarisation continue inverse
Figure EC7 : Bandes d'énergie à la tension de claquage.
Caractéristique courant-tension
Figure EC8 : Courbe caractéristique de la jonction PN
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